Tagadējā uz silīcija bāzētā tehnoloģija pamazām tuvojas tehnoloģisko iespēju robežai, un pusvadītāju tehnoloģijas tuvākajā nākotnē var tikt iedzītas strupceļā. To apzinās arī IBM, kas, meklējot alternatīvus risinājumus, radījusi pasaulē ātrāko tranzistoru, kas bāzēts uz pasaulē plānāko materiālu grafēnu (graphene). IBM arī pamanījās demonstrēt pilnīgu funkcionālu tranzistoru kopu, kas darbojusies ar 1 GHz takts frekvenci, un tiek apgalvots, ka, izmantojot grafēna materiālu, iespējams radīt arī tranzistorus, kas darbojas jau ar 1 THz takts frekvenci, patērējot ievērojami mazāk enerģijas un izdalot mazāk siltuma.

Kompānija Intel ir pabeigusi 32nm tehnoloģiskā procesa izstrādes fāzi, un, iespējams, jau apmēram 2009. gada ceturtajā ceturksnī ir gaidāmi vēl energoefektīvāki un veiktspējīgāki jaunākās paaudzes tranzistori. Vairāk par 32nm tehnoloģisko procesu varēs uzzināt IEDM (International Electron Devices meeting) ietvaros, kas notiks nākamnedēļ Sanfrancisko.
Intel plāno iepazīstināt ar pilnīgi jaunu procesora mikroarhitektūru apmēram reizi gadā, un 32nm mikroshēmu ražošanas uzsākšana nākamajā gadā iezīmētu jau ceturto gadu, kad kompānija būs sasniegusi savu mērķi.
Tāpat Intel informē, ka IEDM ietvaros tiks runāts par 45nm tehnoloģiskajā procesā izstrādātajiem produktiem un 22nm CMOS tehnoloģiju.

Britu zinātniekiem ir izdevies izveidot tranzistoru, kura biezums vai drīzāk jau plānums ir tikai viens atoms. Lai radītu ko tādu, vajag izmantot materiālu, kurš zināms kā grafēns. Tas sastāv no oglekļa atomiem, un tranzistori uz tā bāzes var būt tikai 1 nanometru plāni, tai pašā laikā no krama, kurš tiek izmantots šobrīd, veidotie transiztori var būt, maksimums, 10 nanometrus plāni. Zinātnieki jau daudzus gadus domāja, kāds materiāls varētu tikt izmantots tranzistoru izveidē krama vietā, līdz 2004. gadā tika atklāts grafēns. Tajā esošo oglekļa atomu saites ir ļoti ciešas, un sešstūros, kuros tie izvietoti, ir iespējama ātra elektronu pārvietošanās. Taču mīnuss bija tas, ka grafēnam nav pārslēdzamās signāla vadāmības, kas nepieciešama tranzistoru izveidei. Britu zinātnieku grupa atklāja, ka nelielu, tikai dažu nanometru lieluma materiāla kvantu punktu atlaušana ļauj iegūt signāla vadāmību, pateicoties kvantu efektam, kurš sāk darboties tik mazos izmēros. Iedarbojoties uz tādu maza izmēra punktu ar magnētisko lauku, tiek atjaunota elektronu kustība un izveidojas pārslēdzamais tranzistors. Pats mazākais „punkts” ir tikai piecu oglekļa gredzenu jeb desmit atomu lielumā. Taču ne mazāk svarīgi ir tas, ka priekš citu līdzīga izmēra tranzistoru darbības ir nepieciešama efektīva dzesēšana un zema temperatūra, bet grafēna tranzistori var strādāt istabas temperatūrā.